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BIWINEMCP存儲(chǔ)設(shè)備
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BIWINEMCP存儲(chǔ)設(shè)備 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
MCP=Multi-Chip Package

中文意思是多制層封裝芯片,其主要應(yīng)用領(lǐng)域?yàn)槭謾C(jī)等手持智能終端設(shè)備。
其優(yōu)點(diǎn)在于體積小,能適應(yīng)各種手持設(shè)備節(jié)省空間的原則。成本方面較獨(dú)立的芯片組和要有優(yōu)勢(shì)。
目前用于移動(dòng)通信的MCP主要由SRAM/PSRAM、DRAM和Flash(NOR和NAND)等組成。NOR用于
執(zhí)行代碼的存儲(chǔ),NAND用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ);SRAM/PSRAM、DRAM用作為緩存或工作內(nèi)存。

BIWINEMCP存儲(chǔ)設(shè)備詳細(xì)介紹
封裝 FBGA 162
尺寸(寬x長(zhǎng)x高) 11.5mm(寬)x13mm(長(zhǎng)))x1.2mm(高)
工作溫度 -20~70℃
標(biāo)準(zhǔn) JESD 21-C 3.12.1-29
閃存
容量 4/8GByte
連續(xù)讀取速度 Up to 20MB/s @ 64K Byte Data Transfer Size
連續(xù)寫(xiě)入速度 Up to 10MB/s @ 64K Byte Data Transfer Size
隨機(jī)讀取速度 Up to 2200 IOPS @ 4K Byte Data Transfer Size
隨機(jī)寫(xiě)入速度 Up to 260 IOPS @ 4K Byte Data Transfer Size
平均擦寫(xiě)技術(shù) 全區(qū)平均擦寫(xiě)技術(shù)(Global Wear leveling)
壞塊管理技術(shù) 動(dòng)態(tài)壞塊管理
內(nèi)存
內(nèi)存類(lèi)型 Low Power DDR2
容量 4Gbit/8Gbit
數(shù)據(jù)傳輸速率 800Mbps/1066Mbps
電壓 1.2 V
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